Características principales
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Tipo de transistor: NPN
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Encapsulado: TO-92
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Tensión colector–emisor (Vceo): 40 V
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Tensión colector–base (Vcbo): 60 V
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Corriente máxima de colector (Ic): 200 mA
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Potencia máxima disipada: 625 mW
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Ganancia de corriente (hFE): 100 – 300 (dependiendo de la región de operación)
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Frecuencia de transición (fT): hasta 300 MHz
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Temperatura de operación: -55 °C a +150 °C




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