- MOSFET canal N
- VDS max. = 500 V
- ID max. = 4.5 A
- PW max. = 74 W
- Corriente pulsada max: 18 A
- Baja resistencia en conducción RDS = 1.5 Ω max.
- Diseño robusto
- Soporta avalanchas repetitivas y dv/dt dinámicos
- Temperatura de operación: -55 ºC a +150 ºC
- Conmutación rápida
- Fácil de poner en paralelo
- Encapsulado TH/THT: TO-220AB
