El transistor IRFP260 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFP260 es un MOSFET de 200 V de canal N HEXFET® de potencia N con un bajo nivel de resistencia por zona de silicio y un rendimiento de conmutación rápido utilizando tecnología planar avanzada.que proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto del dispositivo y baja resistencia.
- Valor dinámico dV / dt
- Avalancha repetitiva
- Fácil de conectar
- Requisito de unidad simple
- Agujero de montaje central aislado
- Conmutación rápida
- Aplicaciones: Administración de potencia
